本底真空度相关论文
高锰硅作为一种环境友好型半导体材料,具备多种优点,在热电和光电领域具有很大的应用潜力。目前的研究中,制备高锰硅的本底真空度......
采用射频磁控溅射法在功率用半导体散热片Mo上制备了不同本底真空度的Ru薄膜,利用能谱仪、X射线衍射仪、纳米划痕仪及电化学工作站......
随着集成电路芯片器件特征尺寸不断缩小和一些特色工艺的要求,金属薄膜淀积对反应腔真空度和残余气体的要求越来越高,尤其对于高温......
为研究不同本底真空度对SiC/Mg极紫外多层膜光学性能的影响,利用直流磁控溅射方法在不同本底真空度条件下制备了峰值反射波长在30.......
采用电弧离子镀技术在烧结钕铁硼表面沉积Al薄膜。利用表面轮廓仪、扫描电镜、激光共聚焦、电化学工作站和盐雾试验箱分析了负偏压......
讨论了刻蚀设备的本底真空度、腔室衬底温度对铝刻蚀速率、各向异性、选择性和光刻胶完整性等主要参数的影响。还了为队去残余物和......
目的：提高真空镀膜机镀膜时薄膜的抗激光能力，研究镀膜机箱体内本底真空度和残余气体对激光薄膜光学性能的影响程度。方法借用一台较......
采用闭合场非平衡磁控溅射离子镀技术于不同本底真空度下制备了Cr/C镀层。利用TEM、划痕仪分析了不同真空度下镀层微观截面形貌与......
采用直流磁控溅射方法在平板玻璃基体表面沉积AZO薄膜,研究了本底真空度对薄膜厚度、方块电阻以及在300～1100 nm波长范围内透过率的......
采用物理气相沉积（PVD） TiN涂层的表面处理技术,对合金结构钢进行表面强化处理.分析了不同本底真空度下TiN涂层的硬度、膜基结合力以......
